资讯频道
三星计划2026年量产8nm车用eMRAM：比14nm密度高30%、速度快33%
IT之家10月20日消息，三星主办的 2023 年欧洲三星代工论坛（SFF）上，展示了从先进 2nm 工艺到传统 8 英寸工艺在内的诸多代工解决方案，并展示了正在开发中的首款 5 纳米 eMRAM 车用存储。
eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储半导体，可实现高读写速度以及卓越的耐热性。
三星于 2019 年开发并量产业界首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以来，一直在开发基于 AEC-Q100 Grade 1 的 FinFET 工艺的 14nm 工艺。
IT之家从报道中获悉三星电子公布了路线图，计划在 2024 年量产 14nm 工艺 eMRAM，并计划在 2026 年量产 8nm、2027 年量产 5nm。与 14 纳米工艺相比，三星 8 纳米 eMRAM 具有将密度提高 30%、速度提高 33% 的潜力。
三星表示通过采用深沟槽隔离 (DTI) 技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。
三星代工厂将使用 120V（当前为 70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在 2025 年之前提供实现 120V 至 130nm BCD 工艺的工艺开发套件 (PDK)。
（来源金融界）
本文仅供读者参考，任何人不得将本文用于非法用途，由此产生的法律后果由使用者自负。
如因文章侵权、图片版权和其它问题请邮件联系，我们会及时处理：tousu_ts@sina.com。
打开微信，点击底部的“发现”
使用“"扫—扫"即可将网页分享至好友
举报邮箱: Jubao@dzmg.cn 投稿邮箱：Tougao@dzmg.cn
未经授权禁止建立镜像，违者将依去追究法律责任
大众商报(大众商业报告)并非新闻媒体，不提供任何新闻采编等相关服务
Copyright ©2012-2023 dzmg.cn.All Rights Reserved
湘ICP备2023001087号-2